| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7920pF @40V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
这款 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● D2PAK 塑料封装
●## 应用
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19505KCS
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT 晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新
TI（德州仪器）
80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
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