| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 3.1 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7920pF @40V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
TI（德州仪器）
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80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19505KCS
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