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CSD19501KCS
来自 AiPCBA

CSD19501KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19501KCS
PDF文件:CSD19501KCS 数据手册 (15 页)引脚图在2 页Hot
封装尺寸在11 页
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CSD19501KCS 数据手册 (15 页)
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CSD19501KCS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0055 Ω
极性N-Channel
功耗217 W
阈值电压2.6 V
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)3980pF @40V(Vds)
额定功率(Max)217 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)217W (Tc)
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CSD19501KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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CSD19501KCS 数据手册

CSD19501KCS 数据手册
TI（德州仪器）
15 页 / 0.21 MByte
CSD19501KCS 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
5 页 / 0.3 MByte
CSD19501KCS 产品修订记录
TI（德州仪器）
7 页 / 0.32 MByte

CSD19501 数据手册

CSD19501KCS 数据手册
TI（德州仪器）
80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19501KCS
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