| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -45.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 最小电流放大倍数 | 420 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 420 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用晶体管 PNP硅 特点 •无铅包可用
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor（安森美）
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管 General Purpose Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
