| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-FET-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0053 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.3 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3870pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 5.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
●顶视图
●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
●## 应用范围
● 初级侧电信应用
● 次级侧同步整流器
● 电机控制
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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