| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0053 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2980pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 5.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.1 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
●### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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