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CSD25402Q3AT 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
封装:
SON-8
描述:
-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、8.9mΩ 8-VSONP -55 to 150
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD25402Q3AT 数据手册
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CSD25402Q3AT 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
SON-8
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
35A
CSD25402Q3AT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
CSD25402Q3AT 符合标准
CSD25402Q3AT 概述
表面贴装型 P 通道 15A(Ta),76A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS CSD25402Q3A 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV
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示例:
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