| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | Picostar-4 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.7 W |
| 阈值电压 | 680 mV |
| 上升时间 | 54 ns |
| 额定功率(Max) | 1.7 W |
| 下降时间 | 99 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.35 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 0.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
● 共漏极配置
● 低导通电阻
● 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 标准
● 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
●## 应用
● USB Type-C/PD
● 电池管理
● 电池保护
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TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD85302LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV
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