| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 0Hz ~ 6GHz |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 电源电压 | 5.00V (max) |
| 封装 | VFQFN-16 |
| 供电电流 | 74 mA |
| 针脚数 | 16 Position |
| 功耗 | 339 mW |
| 输出功率 | 15.5 dBm |
| 增益 | 14 dB |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 339 mW |
| 电源电压 | 5 V |
| 电源电压(Max) | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 3.1 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
射频放大器，Analog Devices Hittite
●Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器，它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器，一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成，而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 (HBT) MMIC 驱动器放大器。
●### 射频 (RF) 放大器，Analog Devices
ADI（亚德诺）
16 页 / 0.78 MByte
ADI（亚德诺）
62 页 / 2.94 MByte
ADI（亚德诺）
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
ADI（亚德诺）
RF放大器 HMC311LP3ETR QFN-16(3x3)
ADI（亚德诺）
ANALOG DEVICES HMC311LP3E 芯片, 射频放大器, 14DB, 6GHZ, 5V, HVQFN-16
Hittite
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
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