类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SC-85-3 |
额定功率 | 0.2 W |
极性 | PNP |
功耗 | 0.2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
额定功率(Max) | 200 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 250 MHz |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3F
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
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