| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 5.30 V |
| 工作电压 | 5.3 V |
| 电容 | 220 pF |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 击穿电压 | 5.9 V |
| 电路数 | 2 Circuit |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 300 W |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 5.9 V |
| 脉冲峰值功率 | 300 W |
| 最小反向击穿电压 | 5.3 V |
| 击穿电压 | 5.3 V |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 工作结温 | -40℃ ~ 150℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 5.6V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 300W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| DUAL TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION;FEATURES • 2 UNIDIRECTIONAL TRANSIL FUNCTIONS. • LOW LEAKAGE CURRENT : IR max. < 20µA at VBR. • 300 W PEAK PULSE POWER (8/20µs) 描述与应用| 双 TRANSIL阵列 ESD保护;特点 • 双向TRANSIL功能。 • 低漏电流：IR最大。 <20μAVBR。 • 300 W峰值脉冲功率（8/20μS）
ST Microelectronics（意法半导体）
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Transil™ 阵列单向，提供 ESD 保护，ESDA 系列，STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
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