| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.33 Ω |
| 功耗 | 92.6 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 735 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 735pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 92.6 W |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 92.6 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
●与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
●这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.72 MByte
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCD9N60NTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.33 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCD9N60NTM, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
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