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FCMT180N65S3 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
Power-88-4
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.152 ohm, 10 V, 4.5 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FCMT180N65S3 数据手册
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FCMT180N65S3 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
Power-88-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.152 Ω
功耗
139 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
1350pF @400V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
139000 mW
FCMT180N65S3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
FCMT180N65S3 符合标准
FCMT180N65S3 数据手册
FCMT180N65S3
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
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FCMT180N65 数据手册
FCMT180N65
S3
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.152 ohm, 10 V, 4.5 V
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