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RD3P050SNTL1
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RD3P050SNTL1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
封装:TO-252
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.135 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:RD3P050SNTL1 数据手册 (16 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

RD3P050SNTL1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252
针脚数3 Position
漏源极电阻0.135 Ω
功耗15 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)530pF @25V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)15000 mW
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RD3P050SNTL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃
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RD3P050SNTL1 数据手册

RD3P050SNTL1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
16 页 / 2.81 MByte

RD3P050 数据手册

RD3P050SNTL1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.135 ohm, 10 V, 2.5 V
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