| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.50 @-50mA,-4.3V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • 1.2V drive • Low ON-resistance : Ron = 44 Ω (max) (@VGS = -1.2 V) Ron = 22 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 11 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 8 Ω (max) (@VGS = -4.0 V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •1.2V驱动 •低导通电阻：RON =44Ω（最大值）（@ VGS=-1.2 V） 罗恩= 22Ω（最大）（@ VGS=-1.5 V） 罗恩= 11Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） 罗恩=8Ω（最大）（@ VGS= -4.0 V）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM3J35FS P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 0.50ohm SOT-523 marking/标记 PZ 高速开关 模拟开关 1.2V驱动 低导通电阻
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