| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.089 Ω |
| 功耗 | 625 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 上升时间 | 360 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4979pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 W |
| 下降时间 | 230 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 15.6 mm |
| 宽度 | 4.8 mm |
| 高度 | 19.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
●UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.43 MByte
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 1.21 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 1.88 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA50N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
N-沟道 500 V 0.12 Ω 法兰安装 SMPS 功率 Mosfet TO-247
Cosel
散热片 HEAT SINK-VERTICAL DAS50 SERIES
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
