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FDB28N30TM
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FDB28N30TM 技术参数、封装参数

FDB28N30TM 外形尺寸、物理参数、其它

FDB28N30TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.3 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

FDB28N30 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB28N30TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 300 V, 108 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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