| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 52.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 2 Position |
| 漏源极电阻 | 0.041 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 357 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 2.90 nF |
| 栅电荷 | 63.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 栅源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 52.0 A |
| 上升时间 | 175 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 357 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 357 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 9.98 mm |
| 宽度 | 10.16 mm |
| 高度 | 4.572 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB52N20TM, 52 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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