| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.80 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 额定功率 | 0.96 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 170 mΩ |
| 极性 | P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 960 mW |
| 输入电容 | 190 pF |
| 栅电荷 | 2.30 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.80 A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 190pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.96 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.8A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 280mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1.4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 960mW/0.96W Description & Applications| Dual P-Channel Logic Level Power Trench MOSFET General Description These P-Channel logic level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical. Applications • Load switch • Battery protection • Power management Features • Low gate charge • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Super SOTTM-6 package 描述与应用| 双P沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，但维持出色的开关性能低栅极电荷。 这些设备已被设计为应用程序提供出色的功率耗散在一个非常小的足迹更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8 包是不切实际。 应用 •负荷开关 •电池保护 •电源管理 特点 •低栅极电荷 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •超级SOTTM-6封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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双P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6506P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 V
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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