| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.041 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 输入电容 | 750 pF |
| 栅电荷 | 8.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | -30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -4.00 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 750pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.041Ω @-4A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| • Rugged gate rating (±12V). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick). 描述与应用| •坚固的门评级（±12V）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚）
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 1.89 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.24 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V
ON Semiconductor（安森美）
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
ON Semiconductor（安森美）
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
