类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电流 | 680 mA |
封装 | TSOT-23-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.33 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 900 mW |
阈值电压 | 800 mV |
输入电容 | 63.0 pF |
栅电荷 | 1.10 nC |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
漏源击穿电压 | ±25.0 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 680 mA, 460 mA |
上升时间 | 9.00 ns |
输入电容值(Ciss) | 50pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.9 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA,680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
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