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NTF3055-100T1G
来自 AiPCBA

NTF3055-100T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTF3055-100T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V
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NTF3055-100T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流3.00 A
封装TO-261-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.088 Ω
极性N-Channel
功耗2.1 W
阈值电压3 V
输入电容455 pF
栅电荷22.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压68 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A, 3.00 mA
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)455pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.3 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.3W (Ta)
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NTF3055-100T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.65 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTF3055-100T1G 数据手册

NTF3055-100T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
NTF3055-100T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.47 MByte
NTF3055-100T1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.05 MByte
NTF3055-100T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte
NTF3055-100T1G 其他参考文件
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte

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