类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 5.20 A |
封装 | TSOT-23-6 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 42 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.6 W |
输入电容 | 538 pF |
栅电荷 | 11.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
上升时间 | 17 ns |
输入电容值(Ciss) | 538pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 800 mW |
下降时间 | 5.3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.6 mm |
高度 | 1.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 54mΩ@ VGS = 2.5V, ID =4.5A 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.4~1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.6W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description This N-Channel enhancement mode power field effect transistors is produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits where fast switching,low in-line power loss and resistance to transients are needed in a very small outline surface mount package. Features SuperSOT-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 概述 这N沟道增强型功率场效应晶体管的生产采用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。这非常高密度的过程是量身定做,以尽量减少通态电阻。这些器件特别适合于低电压应用在笔记本电脑,便携式电话,PCMICA卡和其他电池供电电路中快速开关,低线的功率损耗和抗瞬变都需要在一个非常小外形表面贴装封装。 特点 的SuperSOT-6包装设计采用铜引线框架的卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。
Fairchild(飞兆/仙童)
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6331L 集成负载开关, 高压侧, 高电平有效, 1路输出, 8V, 2.8A, SSOT-6
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
FDC6330 系列 20 V 2.3 A 高边 集成 负载开关 - SSOT-6
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6330L 集成负载开关, 高压侧, 高电平有效, 1路输出, 20V, 2.5A, SSOT-6
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FDC6331L 2输出 智能电源开关, 集成负载开关, 2.8A, 8V, 6引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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共源负荷开关P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET Common Source Load Switch P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
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