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FDC638P
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FDC638P 数据手册 (7 页)
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FDC638P 技术参数、封装参数

FDC638P 外形尺寸、物理参数、其它

FDC638P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.57 MByte

FDC638 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC638APZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.5A, SSOT-6
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC638P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC638APZ, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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