FDD86113LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:	FDD86113LZ 数据手册 (6 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FDD86113LZ 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
通道数	1 Channel
极性	N-CH
功耗	3.1 W
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	4.2A
输入电容值(Ciss)	285pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	3.1 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	3.1W (Ta), 29W (Tc)

View Datasheet >

FDD86113LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

View Datasheet >

FDD86113LZ 符合标准

FDD86113LZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.23 MByte

FDD86113LZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDD86113 数据手册

FDD86113LZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDD86113LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N-沟道 100 V 104 mOhm 屏蔽栅极 Power Trench Mosfet - DPAK-3

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号