| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | 483AL |
| 上升时间 | 5.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2832pF @20V(Vds) |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
FDMC8321LDC: N 沟道，Power Trench? MOSFET，40V，108A，2.5mΩ
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