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FDMC86012 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
483AW
描述:
FDMC86012: N 沟道,Power Trench? MOSFET,30V,88A,2.7mΩ
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDMC86012 数据手册
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FDMC86012 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
483AW
功耗
2.3 W
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
3625pF @15V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2300 mW
FDMC86012 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃
FDMC86012 符合标准
FDMC86012 概述
表面贴装型 N 通道 30 V 23A(Ta) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33
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FDMC86012 数据手册
FDMC86012
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
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