| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 23 Pin |
| 封装 | AG-EASY2B-1 |
| 功耗 | 175 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 1.45nF @25V |
| 额定功率(Max) | 175 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 175000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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INFINEON FP25R12W2T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
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IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
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晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
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