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FQB70N08TM
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FQB70N08TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:FQB70N08 / FQI70N08 80V N沟道MOSFET FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQB70N08TM 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页8 页
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FQB70N08TM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流70.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻17.0 mΩ
极性N-Channel
功耗3.75 W
漏源极电压(Vds)80 V
漏源击穿电压80.0 V
栅源击穿电压±25.0 V
连续漏极电流(Ids)70.0 A
上升时间300 ns
输入电容值(Ciss)2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.75 W
下降时间145 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.75W (Ta), 155W (Tc)
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FQB70N08TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FQB70N08TM 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）
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