Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FQD6N60CTM Datasheet 文档
FQD6N60CTM
来自 AiPCBA

FQD6N60CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQD6N60CTM 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FQD6N60CTM 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FQD6N60CTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻1.20 Ω
极性N-Channel
功耗80 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)4.50 A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)810pF @25V(Vds)
额定功率(Max)80 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)80W (Tc)
查看数据手册 >

FQD6N60CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.39 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

FQD6N60CTM 数据手册

FQD6N60CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.01 MByte
FQD6N60CTM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.66 MByte
FQD6N60CTM 产品手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.66 MByte

FQD6N60 数据手册

FQD6N60CTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
FQD6N60CTM_WS 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FQD6N60CTF 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
FQD6N60C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
FQD6N60CTM-WS 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
FQD6N60CTM 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet