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FQPF6N80T
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FQPF6N80T 技术参数、封装参数

FQPF6N80T 外形尺寸、物理参数、其它

FQPF6N80T 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.43 MByte

FQPF6N80 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF6N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 2.5 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF6N80T, 3.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
ON Semiconductor(安森美)
FQPF6N80C: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET,800 V,5.5 A,2.5 ?,TO-220F
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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