| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.2 Ω |
| 功耗 | 52 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 955pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 52 W |
| 下降时间 | 55 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 52 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.16 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.19 mm |
QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor（安森美）
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11 页 / 2.22 MByte
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N65C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N65C, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
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