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FQPF9N90CT
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FQPF9N90CT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF9N90CT  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 900 V, 1.12 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:FQPF9N90CT 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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FQPF9N90CT 数据手册 (10 页)
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FQPF9N90CT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻1.12 Ω
极性N-Channel
功耗68 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
漏源击穿电压900 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间120 ns
输入电容值(Ciss)2730pF @25V(Vds)
额定功率(Max)68 W
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)68W (Tc)
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FQPF9N90CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.9 mm
高度16.07 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQPF9N90CT 数据手册

FQPF9N90CT 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 1.04 MByte
FQPF9N90CT 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
12 页 / 1.16 MByte
FQPF9N90CT 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.55 MByte

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