| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 44.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 130 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 560 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
| 上升时间 | 50 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 8900pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 560W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.34 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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单 N-沟道 600 V 560 W 330 nC 通孔 功率 Mosfet - PLUS247
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