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IPD60R2K1CE
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IPD60R2K1CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:IPD60R2K1CE 数据手册 (14 页)
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IPD60R2K1CE 数据手册 (14 页)
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IPD60R2K1CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.3A
输入电容值(Ciss)140pF @100V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)38 W
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IPD60R2K1CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPD60R2K1CE 数据手册

IPD60R2K1CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.23 MByte
IPD60R2K1CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD60R2K1CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPD60R2K1CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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