类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.088 Ω |
功耗 | 2.1 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
上升时间 | 90 ns |
输入电容值(Ciss) | 270pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.1 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.1 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.56 mm |
高度 | 1.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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