类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 2.80 A |
封装 | TO-261-4 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.11 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.1 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.80 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 310pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.1 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.1W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.56 mm |
高度 | 1.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
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