类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.11 Ω |
功耗 | 2.1 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 240pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.1 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.1 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.56 mm |
高度 | 1.6 mm |
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.75 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.84 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT13N06TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06LTF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT13N06TF, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件