| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 12Ω@ VGS = 2.5V, ID =10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Hign input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Small package Enhancement-mode 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 戒严输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 小型封装 增强模式
Toshiba（东芝）
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HN1K03FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KP 高速开关
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