| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 38 W |
| 负载电流 | 3 A |
| 正向电压 | 2.3V @3A |
| 功耗 | 38 W |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 3 A |
| 最大正向浪涌电流 | 11.5 A |
| 正向电压(Max) | 2.3 V |
| 正向电流(Max) | 3 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 38000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon
●Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
●降低的 EMI
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IDD03SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252
Infineon（英飞凌）
INFINEON IDD03SG60CXTMA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252
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