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IKD10N60RFAATMA1
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IKD10N60RFAATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3
PDF文件:IKD10N60RFAATMA1 数据手册 (16 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IKD10N60RFAATMA1 数据手册 (16 页)
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IKD10N60RFAATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗150 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间72 ns
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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IKD10N60RFAATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not For New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 175℃ (TJ)
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IKD10N60RFAATMA1 数据手册

IKD10N60RFAATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
16 页 / 1.7 MByte
IKD10N60RFAATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IKD10N60RFAATMA1 其他数据使用手册
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