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IPB020N08N5
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IPB020N08N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:场效应管(MOSFET) IPB020N08N5 TO-263
PDF文件:IPB020N08N5 数据手册 (12 页)
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IPB020N08N5 数据手册 (12 页)
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IPB020N08N5 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-263-3
极性N-CH
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)120A
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IPB020N08N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
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IPB020N08N5 数据手册

IPB020N08N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.14 MByte
IPB020N08N5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB020N08N5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB020N08N5 开发手册
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37 页 / 2.01 MByte

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IPB020N08N5 数据手册
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场效应管(MOSFET) IPB020N08N5 TO-263
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