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IPB048N15N5ATMA1
来自 AiPCBA

IPB048N15N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 150 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.8 V
PDF文件:IPB048N15N5ATMA1 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPB048N15N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0037 Ω
功耗300 W
阈值电压3.8 V
漏源极电压(Vds)150 V
上升时间5.3 ns
输入电容值(Ciss)6000pF @75V(Vds)
下降时间37 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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IPB048N15N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB048N15N5ATMA1 数据手册

IPB048N15N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1 MByte
IPB048N15N5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB048N15N5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB048N15N5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB048N15N5 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 150 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4.1 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 150 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.8 V
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