| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 63 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 557pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 63 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 63W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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场效应管(MOSFET) IPD60R600P7S TO-252-3
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
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