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STB270N4F3
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STB270N4F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道40 V， 1.6毫欧， 160 A ， D2PAK ， I2PAK的STripFET ？ III功率MOSFET N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET
PDF文件:STB270N4F3 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页10 页11 页
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STB270N4F3 数据手册 (14 页)
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STB270N4F3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗330 W
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)160A
上升时间180 ns
输入电容值(Ciss)7400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)330 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)330W (Tc)
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STB270N4F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.4 mm
宽度9.35 mm
高度4.6 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB270N4F3 数据手册

STB270N4F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.77 MByte
STB270N4F3 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.64 MByte
STB270N4F3 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.65 MByte

STB270N4 数据手册

STB270N4F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道40 V， 1.6毫欧， 160 A ， D2PAK ， I2PAK的STripFET ？ III功率MOSFET N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET
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