| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.28 Ω |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 791pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 10.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
●STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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