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STB33N60M2
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STB33N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
PDF文件:STB33N60M2 数据手册 (16 页)封装尺寸在13 页
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STB33N60M2 数据手册 (16 页)
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STB33N60M2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻125 mΩ
极性N-CH
功耗190 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)26A
上升时间9.6 ns
输入电容值(Ciss)1781pF @100V(Vds)
额定功率(Max)190 W
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)190W (Tc)
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STB33N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STB33N60M2 数据手册

STB33N60M2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 1 MByte
STB33N60M2 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 1 MByte
STB33N60M2 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 1.02 MByte

STB33N60 数据手册

STB33N60M2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
STB33N60DM2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STB33N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新
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