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IPN80R600P7
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IPN80R600P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:SOT-223
描述:N沟道 800V 8A
PDF文件:IPN80R600P7 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPN80R600P7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-223
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)570pF @500V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)7400 mW
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IPN80R600P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPN80R600P7 数据手册

IPN80R600P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.99 MByte
IPN80R600P7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPN80R600P7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 3.22 MByte
IPN80R600P7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 V
IPN80R600P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 800V 8A
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