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IPP50R190CEXKSA1
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IPP50R190CEXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:IPP50R190CEXKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP50R190CEXKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP50R190CEXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率127 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.17 Ω
极性N-Channel
功耗127 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)18.5A
上升时间8.5 ns
输入电容值(Ciss)1137pF @100V(Vds)
下降时间7.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)127 W
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IPP50R190CEXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度15.95 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP50R190CEXKSA1 数据手册

IPP50R190CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 2.27 MByte
IPP50R190CEXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP50R190CEXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPP50R190CEXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPP50R190 数据手册

IPP50R190CEXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
IPP50R190CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP50R190CE  晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
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