| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 99 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 255 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2800pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 255 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099CPXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099C6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon（英飞凌）
600V,37.9A,99mΩ,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
